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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-25E:B TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存支持的场景。 该型号主要适用于以下应用场景: 1. 网络通信设备:如路由器、交换机等高端通信基础设施,对数据吞吐量和传输速度有较高要求,该内存可提供快速的数据缓存支持。 2. 工业控制与自动化系统:在工业PLC、嵌入式控制系统中,用于提高系统运行效率和实时响应能力。 3. 视频图像处理设备:如高清视频采集卡、图形工作站等,需要大量缓存进行图像数据处理时,该产品可提供稳定可靠的支持。 4. 测试与测量仪器:用于精密测试设备中,提升数据采集与分析的速度和准确性。 5. 汽车电子系统:部分高端车载信息娱乐系统或自动驾驶辅助系统中,用于处理复杂的实时数据。 该产品采用FBGA封装,具备良好的电气性能和稳定性,适合在高可靠性要求的工业环境中使用。其工作温度范围宽,适应性强,是多种高端电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS 144UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-25E:B TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |